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铌酸锂、钽酸锂

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铌酸锂晶片

铌酸锂晶片


材料特性

材料3" 4" 6" 8"  铌酸锂晶片(声表级/光学级)
切型X/Z/Y41°/Y64°/Y128°/YZ/YX   切型可定制
居里温度1142°C±3°C
掺杂Zn,  MgO  单掺或双掺


加工能力

表面处理单面抛光/双面抛光/单面研磨/双面研磨
厚度0.18/0.25/0.35/0.50/1.00 + mm     /     0.25/0.35/0.50/1.00+mm
TTV< 1~5um
BOW± (25um ~40um )
Warp≤ 35um
LTV (5mmx5mm)<1.5 um
PLTV(<0.5um)≥98% (5mm*5mm)   边缘2mm除外
边缘Compl't with SEMI M1.2@with GC800#  .regular at C typed
定向平台根据要求定制
抛光面Roughness Ra≤5A
反面Roughness Ra:0.5-1.0µm GC#1000
倒角符合 SEMI M1.2 Standard/refer to IEC62276
裂缝、锯痕、污渍


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