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FZ单晶硅片

FZ单晶硅片

区熔法(FZ)标准硅片规格书

  直径1“2”3”4“6”
  生长方法区熔本征,中子辐照射,气相掺杂
  纯度11N
  直径(mm)25.4±0.150.8±0.276.2±0.2100±0.2150±0.2
  厚度(um)500±15280±25380±25525±25675±25
  抛光SSP,DSPSSP,DSPSSP,DSPSSP,DSPSSP,DSP
  粗糙度Ra<5ARa<5ARa<5ARa<5ARa<5A
  类型P/B, N/Ph,
  晶向<100><111>±0.5
  电阻率1-300 ohm-cm(P,N); 150-200ohm-cm(N); 1000-20000 ohm-cm(P,N)
  主参考边

16.0±2.0

22.5±2.532.5±2.557.5±2.5
  副参考边8.0±2.011.5±1.518.0±2.037.5±2.5
  TTV<5um<8um<10um<10um<10um
  Bow/Warp<5um<5um<15um<20um<20um




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